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IRFB/IRFIB/IRFS/IRFSL41N15D
100000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
20
I D = 25A
10000
C iss = C gs + C gd , C ds
Crss = C gd
Coss = C ds + Cgd
SHORTED
16
V DS = 120V
V DS = 75V
V DS = 30V
1000
Ciss
Coss
12
8
100
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
10
0
SEE FIGURE 13
1
10             100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1000
0
20     40     60     80     100
Q G , Total Gate Charge (nC)
120
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
1000
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
10
1
T J = 175 ° C
T J = 25 ° C
100
10
10us
100us
1ms
0.1
0.2
0.6
1.0
V GS = 0 V
1.4        1.8
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
10ms
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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